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絕緣材料離子遷移行為與電化學(xué)失效評估系統(tǒng)

更新時(shí)間:2025-11-12      點(diǎn)擊次數(shù):196

一、離子遷移的物理機(jī)制

離子遷移(Ion Migration)是電子器件可靠性失效的關(guān)鍵機(jī)理之一,指在電場和濕度協(xié)同作用下:

1. 金屬離子化:電路中的銅(Cu2?)、銀(Ag?)、錫(Sn2?)等金屬電極發(fā)生電化學(xué)反應(yīng),生成可移動陽離子

2. 離子定向遷移:陽離子在直流電場驅(qū)動下,通過絕緣介質(zhì)層向陰極遷移

3. 枝晶形成:遷移至陰極的金屬離子被還原沉積,持續(xù)積累形成枝晶結(jié)構(gòu)

4. 絕緣失效:枝晶生長貫穿電極間絕緣層,導(dǎo)致短路或電阻值異常下降

二、關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域與技術(shù)需求

1. 封裝材料評估

BGA/CSP錫球:監(jiān)測Sn-Ag-Cu焊料離子遷移閾值

底部填充膠:量化環(huán)氧樹脂吸水率與漏電流相關(guān)性

2. 印制電路可靠性

特征案例:0.1mm線距HDI板的CAF測試

測試標(biāo)準(zhǔn):IPC-TM-650 2.6.25方法C

3. 先進(jìn)顯示器件

EL器件:評估ITO電極遷移對發(fā)光效率的影響

測試參數(shù):50V/85℃/85%RH三綜合測試1000小時(shí)

4. 半導(dǎo)體材料特性

光刻膠介電性能:測量顯后殘留離子濃度

導(dǎo)電膠:碳納米管取向性對離子阻擋能力的影響

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