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絕緣材料測(cè)試儀器

表面電位衰減測(cè)試系統(tǒng)/測(cè)試儀絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái) 導(dǎo)通電阻測(cè)試系統(tǒng) 電熱老化罐真空電熱老化測(cè)試系統(tǒng) 高阻計(jì) 擊穿電壓測(cè)定儀表面體積電阻率測(cè)試儀耐電弧測(cè)試儀高壓/漏電起痕試驗(yàn)儀低壓/漏電起痕試驗(yàn)儀導(dǎo)電與防靜電材料電阻率介電常數(shù)與介質(zhì)損耗測(cè)試儀高溫直流測(cè)試系統(tǒng)

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HCJDCS-A高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

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型號(hào)：HCJDCS-A

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高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。主要用于測(cè)量玻璃、陶瓷等材料在高頻信號(hào)下的介損、介電常數(shù)。
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HC2810B型LCR數(shù)字電橋檢測(cè)儀器

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HC2810B型LCR數(shù)字電橋檢測(cè)儀器是一種測(cè)試速度快、精度高、測(cè)試范圍寬的通用阻抗測(cè)量?jī)x器。四個(gè)測(cè)試頻率點(diǎn)，Z高至10kHz, 30Ω 、100Ω兩種不同信號(hào)源輸出阻抗可使儀器測(cè)量結(jié)果與眾多LCR結(jié)果相，同時(shí)也能適應(yīng)陶瓷電容器對(duì)測(cè)量電平的要求。
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HC2826型LCR數(shù)子電橋檢測(cè)儀器

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HC2826型LCR數(shù)子電橋檢測(cè)儀器： HC2826系列元件測(cè)試儀是*臺(tái)符合LXI標(biāo)準(zhǔn)的新一代阻抗測(cè)試儀器，其0.1%的基本精度、20Hz～5MHz的頻率范圍可以滿足元件與材料絕大部分低壓參數(shù)的測(cè)量要求，可廣泛應(yīng)用于諸如傳聲器、諧振器、電感器、陶瓷電容器、液晶顯示器、變?nèi)荻O管、變壓器等進(jìn)行諸多電氣的分析及低ESR電容器和高Q電感器的測(cè)量。
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HC2825A型高速數(shù)子電橋檢測(cè)儀器

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型號(hào)：HC2825A型

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HC2825A型高速數(shù)子電橋檢測(cè)儀器： HC2825A型高速LCR數(shù)字電橋是本公司重點(diǎn)推出的新一代元件參數(shù)測(cè)試儀器。該產(chǎn)品可提供高達(dá)15ms/次的測(cè)量速度、50Hz100kHz十點(diǎn)測(cè)試頻率、以1mV步進(jìn)的0.01V-1.0V可編程信號(hào)電平、5位讀數(shù)分辨率、多種源內(nèi)阻選擇和測(cè)試功能,可滿足生產(chǎn)線質(zhì)量保證、進(jìn)貨檢驗(yàn)及元件設(shè)計(jì)和評(píng)估的測(cè)量要求。
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HC多功能/LCR數(shù)字電橋檢測(cè)儀器

更新時(shí)間：2024-07-15

型號(hào)：HC

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多功能/LCR數(shù)字電橋檢測(cè)儀器產(chǎn)品簡(jiǎn)介具有多種功能和高測(cè)試頻率的LCR數(shù)字電橋，體積小，緊湊便攜，便于上架使用。本系列儀器基本精度為0.05%，測(cè)試頻率Z高1MHz及10mHz的分辨率，4.3寸的LCD屏幕配合中英文操作界面
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HC華測(cè)廠家熱銷LCR數(shù)字電橋檢測(cè)儀器

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HCDRT-01華測(cè)電熱毯動(dòng)負(fù)載試驗(yàn)機(jī)檢測(cè)儀器/介電常數(shù)

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華測(cè)電熱毯動(dòng)負(fù)載試驗(yàn)機(jī)檢測(cè)儀器/介電常數(shù)： HCDRT-01電熱毯動(dòng)負(fù)載試驗(yàn)機(jī)滿足標(biāo)準(zhǔn)：《電熱毯生產(chǎn)許可證實(shí)施細(xì)則》 IEC60335-2-17 IEC 60335-2-17-2002家用和類似用途電器的.第2-17部分:電熱毯、電熱墊和類似柔性加熱電器的特殊要求 QB/T2994-2008電熱毯、電熱墊和電熱褥墊 GB4706.8-2003-21.104家用和類似用途電
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HCJDCS-G工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀

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工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀： GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
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