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模擬污穢高壓工況:高壓漏電起痕試驗(yàn)儀在多行業(yè)的應(yīng)用實(shí)踐
模擬污穢高壓工況:高壓漏電起痕試驗(yàn)儀在多行業(yè)的應(yīng)用實(shí)踐 發(fā)布時(shí)間:2026-08-21
隨著新能源、電力電氣產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,絕緣材料在潮濕、污穢、高壓復(fù)合工況下的耐電痕性能,成為產(chǎn)品可靠性設(shè)計(jì)的關(guān)鍵指標(biāo)。華測(cè)儀器高壓漏電起痕試驗(yàn)儀依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)研發(fā),可模擬復(fù)雜環(huán)境下絕緣材料表面漏電劣化過(guò)程,準(zhǔn)確評(píng)定材料耐電痕化與耐電蝕損能力,現(xiàn)已普遍服務(wù)于多個(gè)行業(yè)的研發(fā)、可靠性試驗(yàn)與質(zhì)量檢...
  • 2026

    8-17
    高電位絕緣材料靜電檢測(cè)方案—HCEV-20kV 非接觸式靜電電壓表
    華測(cè)儀器HCEV-20kV非接觸式高壓靜電電壓表,依托自研場(chǎng)消測(cè)量技術(shù)實(shí)現(xiàn)無(wú)損非接觸電壓檢測(cè),測(cè)量過(guò)程不擾動(dòng)試樣原有電場(chǎng)、不損傷被測(cè)樣品。儀器測(cè)量量程覆蓋0至±20kV直流電或峰值交流電,適配多種高電位絕緣材料測(cè)試場(chǎng)景。區(qū)別于...
  • 2026

    8-14
    場(chǎng)消式無(wú)損測(cè)量,華測(cè)儀器非接觸式靜電電壓表助力多行業(yè)靜電品質(zhì)管控
    近日,華測(cè)儀器自主研發(fā)的HCEV系列非接觸式靜電電壓表憑借無(wú)損、高準(zhǔn)度、高穩(wěn)定性的技術(shù)優(yōu)勢(shì),普遍應(yīng)用多行業(yè)場(chǎng)景,為工業(yè)靜電防控、產(chǎn)品品質(zhì)管控、新材料科研測(cè)試提供解決方案,提供可靠測(cè)試支撐。在精細(xì)制造與新材料生產(chǎn)過(guò)程中,靜電是影響產(chǎn)品良率、暗...
  • 2026

    8-14
    HC-PAX 多通道電流矩陣模塊|多路微弱電流自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái)解決方案
    隨著半導(dǎo)體器件、微型傳感器、微電子元器件可靠性測(cè)試需求持續(xù)增長(zhǎng),批量樣品同步開展漏電、電流特性測(cè)試的場(chǎng)景越來(lái)越普遍。傳統(tǒng)單通道測(cè)試設(shè)備需要人工反復(fù)接線、輪換試樣,測(cè)試效率低下,難以滿足批量微弱電流并行采集需求。針對(duì)行業(yè)痛點(diǎn),華測(cè)儀器推出HC...
  • 2026

    8-13
    模擬濕熱偏壓工況!絕緣電阻劣化(離子遷移)綜合測(cè)試解決方案
    隨著電子器件持續(xù)向小型化、高密度集成方向發(fā)展,高溫高濕疊加電場(chǎng)作用引發(fā)的離子遷移、絕緣電阻衰減等問(wèn)題愈發(fā)突出,對(duì)產(chǎn)品長(zhǎng)期服役穩(wěn)定性構(gòu)成挑戰(zhàn)。針對(duì)行業(yè)測(cè)試痛點(diǎn),華測(cè)儀器推出絕緣電阻劣化(離子遷移)測(cè)試系統(tǒng),可開展溫濕度偏壓、電化學(xué)遷移、表面絕...
  • 2026

    8-13
    HCRD-300L 電弱點(diǎn)試驗(yàn)儀:卷狀薄膜材料連續(xù)檢測(cè)方案
    高分子絕緣薄膜生產(chǎn)過(guò)程中形成的雜質(zhì)、局部薄化等微觀問(wèn)題,是影響高壓工況下局部電場(chǎng)畸變、介質(zhì)擊穿與終端產(chǎn)品失效的關(guān)鍵誘因。華測(cè)儀器HCRD-300L系列電弱點(diǎn)試驗(yàn)儀面向電容薄膜、鋰電池隔膜等卷材質(zhì)檢需求,實(shí)現(xiàn)整卷卷材不間斷連續(xù)檢測(cè),試樣無(wú)需提...
  • 2026

    8-12
    HCMP 多通道介電電阻測(cè)試模塊:多通道并行測(cè)試解決方案
    華測(cè)儀器HCMP多通道介電電阻測(cè)試模塊,標(biāo)配10路單獨(dú)測(cè)試通道,同時(shí)支持通道數(shù)量定制擴(kuò)容,可同步開展多組試樣平行對(duì)照試驗(yàn),適合長(zhǎng)期電熱老化試驗(yàn)配套在線監(jiān)測(cè),完成多試樣同步比對(duì)測(cè)試。模塊搭載高速光耦繼電器,通道切換時(shí)間低至1ms;通道之間絕緣...
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