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半導(dǎo)體封裝材料測(cè)試系統(tǒng)

電場(chǎng)介電損耗，漏電流測(cè)試系統(tǒng) TSDC測(cè)試系統(tǒng) 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng) 真空探針臺(tái)

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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2025-08-01

型號(hào)：

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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)華測(cè)儀器通過(guò)多年研究開(kāi)發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)高的精度溫控，高屏蔽干擾信號(hào)的循環(huán)熱風(fēng)加熱方式，在高速加熱及高速冷卻時(shí)，具有均勻的溫度分布。可實(shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，加熱箱體整體密封，無(wú)氣氛污染。
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HC-TSDC環(huán)氧塑封料TSDC測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2025-09-17

型號(hào)：HC-TSDC

瀏覽量：4883

環(huán)氧塑封料TSDC測(cè)試系統(tǒng)，熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程，在該過(guò)程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2025-09-17

型號(hào)：HC-TSC

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半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程，在該過(guò)程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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SIR-450半導(dǎo)體寬溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2026-06-09

型號(hào)：SIR-450

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華測(cè)儀器SIR-450半導(dǎo)體寬溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)采用Huacepro智能軟件，符合功能材料的各項(xiàng)測(cè)試需求，具備穩(wěn)定性與操作防護(hù)性，并具備斷電資料的保存功能，圖像資料也可保存恢復(fù)。
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SIR-450半導(dǎo)體材料高低溫絕緣電阻率測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2026-06-09

型號(hào)：SIR-450

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華測(cè)儀器SIR-450半導(dǎo)體材料高低溫絕緣電阻率測(cè)試系統(tǒng)環(huán)氧塑封料（EMC）對(duì)高功率半導(dǎo)體器件的高溫反向偏壓（HTRB）性能有重要控制作用，設(shè)備主要用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。
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SIR-450寬溫半導(dǎo)體絕緣性能測(cè)試設(shè)備

更新時(shí)間：2026-06-09

型號(hào)：SIR-450

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華測(cè)儀器SIR-450寬溫半導(dǎo)體絕緣性能測(cè)試設(shè)備用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能，環(huán)氧塑封料對(duì)高功率半導(dǎo)體器件的高溫反向偏壓（HTRB）性能有重要控制作用。
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Huace-TSDC熱激勵(lì)去極化電流測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2026-05-07

型號(hào)：Huace-TSDC

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華測(cè)儀器Huace-TSDC熱激勵(lì)去極化電流測(cè)試系統(tǒng)，TSDC是一種研究電荷存儲(chǔ)特性的試驗(yàn)技術(shù)，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫。
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SIR-450半導(dǎo)體材料寬溫域絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2026-04-15

型號(hào)：SIR-450

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華測(cè)儀器SIR-450半導(dǎo)體材料寬溫域絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)在電子產(chǎn)品中，電容器、電阻器、半導(dǎo)體器件等需要在不同溫度下進(jìn)行試驗(yàn)，以評(píng)估其性能和可靠性。
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